NPN-Transistor TIP147, TO-247, -100V, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: ja. Collector-Base-Spannung VCBO: -100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 500. Darlington-Transistor?: ja. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: TIP147. Hinweis: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Ic(Impuls): 20A. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 10A. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 125W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: TIP147. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP142. Strom max 1: -10A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Technologie: Monolithisches Darlington. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08