NPN-Transistor TT2062, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V

NPN-Transistor TT2062, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
4.54€
5-24
4.02€
25-49
3.59€
50+
3.16€
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NPN-Transistor TT2062, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Kollektorstrom: 18A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: ja. FT: kHz. Funktion: Hohe Geschwindigkeit.. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 35A. Maximaler hFE-Gewinn: 15. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

Technische Dokumentation (PDF)
TT2062
24 Parameter
Kollektorstrom
18A
Gehäuse
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PMLH
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
800V
Anzahl der Terminals
3
CE-Diode
ja
FT
kHz
Funktion
Hohe Geschwindigkeit.
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
35A
Maximaler hFE-Gewinn
15
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
4
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
85W
Spec info
Ultrahigh-Hor
Sättigungsspannung VCE(sat)
3V
Technologie
„Triple Diffused Planar Transistor“
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.2us
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanyo