NPN-Transistor ZTX753, TO-92, 2A, TO-92, 100V

NPN-Transistor ZTX753, TO-92, 2A, TO-92, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.20€
5-24
1.03€
25-49
0.91€
50-99
0.83€
100+
0.70€
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NPN-Transistor ZTX753, TO-92, 2A, TO-92, 100V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+200°C. CE-Diode: nein. FT: 140 MHz. Frequenz: 140MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,9V. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 6A. Kollektorstrom Ic [A]: 2A. Konditionierung: -. Kosten): 30pF. Leistung: 1W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 100V, 120V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX653. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.17V. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Verpackung: -. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:05

Technische Dokumentation (PDF)
ZTX753
31 Parameter
Gehäuse
TO-92
Kollektorstrom
2A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+200°C
CE-Diode
nein
FT
140 MHz
Frequenz
140MHz
Funktion
Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,9V
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
6A
Kollektorstrom Ic [A]
2A
Kosten)
30pF
Leistung
1W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
1W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
100V, 120V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) ZTX653
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.17V
Technologie
SILICON PLANAR
Tf(max)
600 ns
Tf(min)
40 ns
Transistortyp
PNP
VCBO
120V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Inc.