NTD2955-1G

NTD2955-1G. C(in): 500pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: NT2955. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.