NTD2955T4

NTD2955T4. C(in): 500pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 50us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: NT2955. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: ID pulse 36A/10ms. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.