Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 0.88mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: -40...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 0.88mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Geringer Stromverbrauch, geringe Geräuschentwicklung. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -40...+85°C

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C. VCC: 1.8...12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 1.125mA. Mindestversorgungsspannung (V): +1.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: +1.8V...+12V. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 1.125mA. Mindestversorgungsspannung (V): +1.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C. VCC: 1.8...12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 2.25mA. Mindestversorgungsspannung (V): +1.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C. VCC: 1.8...12V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCC: 1.8...12V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: +1.8V...+12V. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: -40...+105°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 4.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +1.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: +1.8V...+12V. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: -40...+105°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 4.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +1.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 24 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 4.3mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 24 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 4.3mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Präzisions-Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 24 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 8.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 4.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 3.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 4.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 6.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 14

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Quad-Operationsverstärker. Hinweis: Wide Bandwidth--4.5MHz. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C. VCC: 3...44V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Serie 158. Hinweis: 3 MHz Bandbreite. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 5. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23-5. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23-5 ( SC-70 ). Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: 1.8...5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 4.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +1.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C