Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +6V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +6V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 20kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 12.5V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 14mV. Stromaufnahme [mA]: 7uA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit geringem Verbrauch, Spannungskomparator/Referenz. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +7V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 20kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 12.5V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 14mV. Stromaufnahme [mA]: 7uA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit geringem Verbrauch, Spannungskomparator/Referenz. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +7V

Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 6mV. Stromaufnahme [mA]: 3.4mA. Gehäuse: SO-8. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 6mV. Stromaufnahme [mA]: 3.4mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V. Gehäuse (JEDEC-Standard): 8:1

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 4.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

Funktion: Operationsverstärker. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 33078. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: ±2.5...±15V. Versorgungsspannung: ±18V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 16 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.15mV. Stromaufnahme [mA]: 4.1mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: High Gain Bandwidth Product 15MHz. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: ±2.5...±15V. Versorgungsspannung: ±18V. Hinweis: ESD-Schutz 2kV. Hinweis: Rauscharmer Dual-Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 16 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.15mV. Stromaufnahme [mA]: 4.1mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 15 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2.5mV. Stromaufnahme [mA]: 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Schaltungstyp: Quad-schneller Operationsverstärker. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 16 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2.5mV. Stromaufnahme [mA]: 10mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 15 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2.5mV. Stromaufnahme [mA]: 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Schaltungstyp: Quad-schneller Operationsverstärker. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 0.44mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 0.44mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

Funktion: Operationsverstärker. Produktionsdatum: 2014/34. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: -40...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 0.88mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: -40...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 0.88mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -40...+85°C. Hinweis: Geringer Stromverbrauch, geringe Geräuschentwicklung

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C. VCC: 1.8...12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 1.125mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +1.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Gehäuse: SO-8