Operationsverstärker

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Geringe Verzerrung 0,0005 % typ. Hinweis: Slew Rate 5V/us typ.. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): SIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: ±2...±18V. Versorgungsspannung: ±18V

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Geringe Verzerrung 0,0005 % typ. Hinweis: Slew Rate 5V/us typ.. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4580. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DMP-8. Gehäuse (laut Datenblatt): DMP-8 ( 5x5mm ). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: ±2...±18V. Versorgungsspannung: ±18V

Funktion: Dualer Operationsverstärker. Hinweis: Small Signal Bandwidth--10MHz. Hinweis: Equivalent Input 5nV. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -20...+75°C. Versorgungsspannung: ±22V

Funktion: Dualer Operationsverstärker. Hinweis: Small Signal Bandwidth--10MHz. Hinweis: Equivalent Input 5nV. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 600mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -20...+75°C. Versorgungsspannung: ±22V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Vio.max 150uV. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.15mV. Stromaufnahme [mA]: 5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Gehäuse: DIP8. Anzahl der operativen Verstärker: 1. Bandbreite MHz: 0.6 MHz. Versorgungsspannung min: -3V. Versorgungsspannung max: 18V. Rail-to-Rail-Ausgang: NO. Temperatur Min: n/a. Temperatur max: 70°C. Serie: OP

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.15mV. Stromaufnahme [mA]: 2.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.15mV. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CERDIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.04mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Input Offset Voltage 20uV. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: OP177GPZ. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Input Offset Voltage 20uV. Hinweis: OP177GSZ. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: OP200GPZ. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3.4 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.25mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3.4 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.25mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.06mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.06mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dual-Präzisions-Operationsverstärker, rauscharm. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.25mV. Stromaufnahme [mA]: 4.4mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dual-Operationsverstärker für Audioanwendungen. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 9 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 22V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.25mV. Stromaufnahme [mA]: 5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: OP275GSZ. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8