Operationsverstärker

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: OP-IC. Hinweis: 158 series. Anzahl der Terminals: 8:1. Gewicht: 2.268g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -20...+75°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: 158 series. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): SIP-8. Betriebstemperatur: -20...+75°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: 158 series. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): SIP-8. Betriebstemperatur: -20...+75°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: 158 series. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -20...+75°C

Funktion: Dualer Operationsverstärker. Hinweis: Operationsverstärker. Hinweis: Vn 1.2uVp-p, SR 4V/us. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: ±4...±18V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Vn 1.2uVrms. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -20...+75°C

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Slew Rate 5V/us typ.. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 800W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: ±2...±18V. Versorgungsspannung: ±18V. Hinweis: Geringe Verzerrung 0,0005 % typ

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Slew Rate 5V/us typ.. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 800W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: ±2...±18V. Versorgungsspannung: ±18V. Hinweis: Geringe Verzerrung 0,0005 % typ

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Slew Rate 5V/us typ.. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8 ( 3.8x4.8mm ). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: ±2...±18V. Versorgungsspannung: ±18V. Hinweis: Geringe Verzerrung 0,0005 % typ

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Slew Rate 5V/us typ.. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): SIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: ±2...±18V. Versorgungsspannung: ±18V. Hinweis: Geringe Verzerrung 0,0005 % typ

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Slew Rate 5V/us typ.. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4580. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DMP-8. Gehäuse (laut Datenblatt): DMP-8 ( 5x5mm ). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: ±2...±18V. Versorgungsspannung: ±18V. Hinweis: Geringe Verzerrung 0,0005 % typ

Funktion: Dualer Operationsverstärker. Hinweis: Small Signal Bandwidth--10MHz. Hinweis: Equivalent Input 5nV. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -20...+75°C. Versorgungsspannung: ±22V

Funktion: Dualer Operationsverstärker. Hinweis: Small Signal Bandwidth--10MHz. Hinweis: Equivalent Input 5nV. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 600mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -20...+75°C. Versorgungsspannung: ±22V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C. Hinweis: Vio.max 150uV

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.15mV. Stromaufnahme [mA]: 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.15mV. Stromaufnahme [mA]: 2.6mA. Gehäuse: DIP-8. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.15mV. Stromaufnahme [mA]: 2.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.15mV. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CERDIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.04mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

Funktion: Operationsverstärker. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: OP177GPZ. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Input Offset Voltage 20uV

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: Input Offset Voltage 20uV. Hinweis: OP177GSZ

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: OP200GPZ