Operationsverstärker

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 98dB. Diodenleistung: 1W. Funktion: Operationsverstärker. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AD820AR. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: ±18V. Hinweis: Single-supply capability from 5V to 30V. Hinweis: symmetrische Stromversorgungsfähigkeit von +/-2,5 V bis +/-15 V. Spec info: Unity Gain Frequency 1.8MHz

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.9mV. Stromaufnahme [mA]: 0.65mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker für Instrumentierung. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.25mV. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker für Instrumentierung. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 0.35mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.8mV. Stromaufnahme [mA]: 1.24mA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.8mV. Stromaufnahme [mA]: 1.24mA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V

Konditionierung: Kunststoffrohr. Frequenz: 16 MHz. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Konditionierungseinheit: 50

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): SO. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 46 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 140V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5mV. Stromaufnahme [mA]: 6.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, speziell. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Logarithmischer Verstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 500 MHz. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 8mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker für Instrumentierung. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 10 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 35V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.06mV. Stromaufnahme [mA]: 2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker für Instrumentierung. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.025mV. Stromaufnahme [mA]: 0.33mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Gehäuse (JEDEC-Standard): DIP. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 60 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2000V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.3mV. Stromaufnahme [mA]: 6.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 50 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 200V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3.5mV. Stromaufnahme [mA]: 5.3mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 20V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 2.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Quad-Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +5V/-5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +15V/-15V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.005mV. Stromaufnahme [mA]: 0.75mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Präzisions-Operationsverstärker, Nulldrift. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.005mV. Stromaufnahme [mA]: 0.75mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Präzisions-Operationsverstärker, Nulldrift. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.005mV. Stromaufnahme [mA]: 1.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.005mV. Stromaufnahme [mA]: 1.5mA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 10 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.02mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: Sehr rauscharm, geringer Eingangsruhestrom

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 25 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 50V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.85mV. Stromaufnahme [mA]: 3.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Präzisions-Operationsverstärker, rauscharm. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +26V. Hinweis: Sehr rauscharm, geringer Eingangsruhestrom

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.54MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.28V/µs. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.125mV. Stromaufnahme [mA]: 0.35mA. Schaltungstyp: Dual-Präzisions-Operationsverstärker, rauscharm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 10 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 5.1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.125mV. Stromaufnahme [mA]: 3.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 10 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.75mV. Stromaufnahme [mA]: 12mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V