Optische Sensoren

Plattenausschnitt/Bohrung: 12.2mm. Beschichtungsmaterial: Nickel. Länge: 66mm. Frequenz: max. RoHS: ja. Gewicht: 64g. Stromversorgung: 7...18VDC. Betriebstemperatur: -25...+60°C. Schutz: IP67. Ausgang: NAMUR, Schaltabstand 0...2mm

Plattenausschnitt/Bohrung: 12.2mm. Beschichtungsmaterial: Nickel. Länge: 66mm. Frequenz: max. RoHS: ja. Gewicht: 64g. Stromversorgung: 7...18VDC. Betriebstemperatur: -25...+60°C. Schutz: IP67. Ausgang: NAMUR, Schaltabstand 0...2mm

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Kabel. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: 6mm. Nenneingangsstrom (mA): 15mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 20us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 80us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +55°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Kabel. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: 6mm. Nenneingangsstrom (mA): 15mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 80us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 80us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +55°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Kabel. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: PNP-Transistor. Gabelhöhe: 6mm. Nenneingangsstrom (mA): 15mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 80us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 80us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +55°C

Diode IF: 50mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.7V. Wellenlänge (dominant): 940nm. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Stromversorgung: 5V 50mA. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Hinweis: optische Gabel

Diode IF: 50mA. Diodenleistung: 75mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Wellenlänge (dominant): 940nm. Abmessungen: 3.6x2.9x1.7mm. Pd (Verlustleistung, max): 50mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Stromversorgung: 5V 50mA. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Hinweis: Reel Sensor. Hinweis: optische Gabel. Ausgang: Reflektierend, Fototransistor-Ausgang

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: optischer Infrarot-Reflexionssensor. Nenneingangsstrom (mA): 20mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 15us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 15us. Maximale Ausgangsspannung (V): 30 v. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: reflektierender Optokoppler

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: vertikale Montage, horizontale Aufnahme. Gehäuse (JEDEC-Standard): ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: optischer Infrarot-Reflexionssensor. Nenneingangsstrom (mA): 50mA. Maximale Ausgangsspannung (V): 32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Optokopplertyp: reflektierender Optokoppler

Vorwärtsstrom (RMS): 50mA. RoHS: ja. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vr: 5V. Optokopplertyp: optocoupleur par réflexion infrarouge. Länge der Anschlüsse: 3.5mm

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: 3.1mm. Nenneingangsstrom (mA): 60mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 15us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 10us. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25...1.6V. Diodenschwellenspannung: 6V. Funktion: Transmissiver optischer Sensor mit Fototransistor-Ausgang. Wellenlänge (dominant): 950nm. Kollektorstrom: 4mA. Ic(Impuls): 200mA. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Sensortyp: Optokoppler. Optokopplertyp: optische Gabel. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: Öffnung 3,1 mm, Sensorabstand 1,0 mm

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: 3.2mm. Nenneingangsstrom (mA): 20mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 10us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 8us. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

CTR: 1.25...2.6 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25...1.6V. Diodenschwellenspannung: 6V. Funktion: Transmissiver optischer Sensor mit Fototransistor-Ausgang. Wellenlänge (dominant): 950nm. Kollektorstrom: 0.5mA. Ic(Impuls): 200mA. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: Öffnung 3,1 mm, Sensorabstand 0,25 mm

CTR: 10 - 20 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25...1.6V. Diodenschwellenspannung: 6V. Funktion: Transmissiver optischer Sensor mit Fototransistor-Ausgang. Wellenlänge (dominant): 950nm. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 8...10us. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: Öffnung 3,1 mm, Sensorabstand 0,6 mm

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: 3.1mm. Nenneingangsstrom (mA): 20mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 10us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 8us. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Hinweis: optische Gabel