Optische Sensoren

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: vertikale Montage, horizontale Aufnahme. Gehäuse (JEDEC-Standard): ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: reflektierender Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: optischer Infrarot-Reflexionssensor. Maximale Ausgangsspannung (V): 32V. Nenneingangsstrom (mA): 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Wellenlänge (dominant): 940nm. Kollektorstrom: 100mA. Vorwärtsstrom (RMS): 50mA. RoHS: ja. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vr: 5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: 3.1mm. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 60mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 15us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 10us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25...1.6V. Diodenschwellenspannung: 6V. Funktion: Transmissiver optischer Sensor mit Fototransistor-Ausgang. Wellenlänge (dominant): 950nm. Kollektorstrom: 4mA. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: Öffnung 3,1 mm, Sensorabstand 1,0 mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. CTR: 10...20 %. Diode IF: 60mA

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: 3.2mm. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 20mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 10us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 8us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

CTR: 1.25...2.6 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25...1.6V. Diodenschwellenspannung: 6V. Funktion: Transmissiver optischer Sensor mit Fototransistor-Ausgang. Wellenlänge (dominant): 950nm. Kollektorstrom: 0.5mA. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: Öffnung 3,1 mm, Sensorabstand 0,25 mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V

CTR: 10 - 20 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25...1.6V. Diodenschwellenspannung: 6V. Funktion: Transmissiver optischer Sensor mit Fototransistor-Ausgang. Wellenlänge (dominant): 950nm. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: Öffnung 3,1 mm, Sensorabstand 0,6 mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 8...10us. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: optischer Sensor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: vertikale Montage. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Gabel-Optokoppler (Gabelsensor). Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Gabelhöhe: 3.1mm. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 20mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 10us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 8us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Hinweis: optische Gabel