P-Kanal-Transistor BSP250, SOT223, -30V. Gehäuse: SOT223. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. : erweitert. Antriebsspannung: -. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 25nC. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 140 ns. Betriebstemperatur: -. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 250pF. Drain-Source-Spannung: -30V. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 80 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.8V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: BSP250.115. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 3A. Information: -. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 5W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.65W. Montage/Installation: SMD. Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Polarität: unipolar. QG (Total Gate Ladung, max @ vgs): -. Rds on (max) @ id, vgs: 0.25 Ohms / -1A / -10V. RoHS: ja. Serie: -. Strömung abfließen: -3A. Transistortyp: P-MOSFET. Vdss (Drain-Source-Spannung): -30V. Vgs (th) (max) @ id: -. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27