P-Kanal-Transistor BSS84, SOT-23 ( TO-236 ), 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=25°C): 130mA. IDSS (max): 46.4k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 50V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. C(in): 25pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Drain-Source-Spannung: -50V. Durchschnittlicher kontinuierlicher Strom: -130mA. Einschaltwiderstand Rds On: 6 Ohms. Funktion: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 75mA. IDss (min): 10uA. Id(imp): 520mA. Kanaltyp: P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11W. Kosten): 15pF. Leistung: 0.25W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 11W. Strömung abfließen: -130mA. Td(off): 7 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: „Vertikaler D-MOS-Transistor im Erweiterungsmodus“. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.8V. Widerstand auf den Staat: 10 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31