P-Kanal-Transistor FDS9435A, SO, -30V, 5.3A, 100nA, SO-8, 30 v. Gehäuse: SO. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 5.3A. IDSS (max): 100nA. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 528pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 528pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -5.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.042 Ohms. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Herstellerkennzeichnung: FDS9435A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: P. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kosten): 132pF. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Td(off): 14 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 23:00