P-Kanal-Transistor FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V

P-Kanal-Transistor FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V

Menge
Stückpreis
1-4
1.56€
5-49
1.29€
50-99
1.10€
100+
0.99€
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P-Kanal-Transistor FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1100pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. ID (T=100°C): 19.1A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 102A. Kanaltyp: P. Kosten): 510pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 105 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQB27P06TM
29 Parameter
ID (T=25°C)
27A
IDSS (max)
10uA
Gehäuse
D2PAK ( TO-263 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
D2PAK ( TO-263 )
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1100pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Einschaltwiderstand Rds On
0.055 Ohms
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
25V
ID (T=100°C)
19.1A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
102A
Kanaltyp
P
Kosten)
510pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
120W
RoHS
ja
Td(off)
30 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
DMOS, QFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
105 ns
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild