P-Kanal-Transistor FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V

P-Kanal-Transistor FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V

Menge
Stückpreis
1-4
1.44€
5-24
1.22€
25-49
1.07€
50-99
0.98€
100+
0.85€
Menge auf Lager: 33

P-Kanal-Transistor FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 9.4A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 420pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Funktion: QFET, Low gate charge (typ--13ns). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. ID (T=100°C): 5.95A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 37.6A. Kanaltyp: P. Kosten): 195pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 38W. RoHS: ja. Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Td(off): 45 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: DMOS POWER-MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 83 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19

Technische Dokumentation (PDF)
FQU11P06
30 Parameter
ID (T=25°C)
9.4A
IDSS (max)
10uA
Gehäuse
TO-251 ( I-Pak )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-251AA ( I-PAK )
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
420pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Einschaltwiderstand Rds On
0.15 Ohms
Funktion
QFET, Low gate charge (typ--13ns)
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
ID (T=100°C)
5.95A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
37.6A
Kanaltyp
P
Kosten)
195pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
38W
RoHS
ja
Spec info
Low Crss (typical 45pF), Fast switching
Td(off)
45 ns
Td(on)
6.5 ns
Technologie
DMOS POWER-MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
83 ns
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild