P-Kanal-Transistor GT20D201, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V

P-Kanal-Transistor GT20D201, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V

Menge
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1-4
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5-9
23.42€
10-24
21.40€
25+
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P-Kanal-Transistor GT20D201, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F1C ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1450pF. CE-Diode: nein. Funktion: P-Kanal-MOS-IGBT-Transistor. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 60A. Kanaltyp: P. Kollektorstrom: 20A. Kosten): 450pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Spec info: Audioverstärker. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19

Technische Dokumentation (PDF)
GT20D201
21 Parameter
Ic(T=100°C)
20A
Gehäuse
TO-264 ( TOP-3L )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-264 ( 2-21F1C )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
250V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1450pF
CE-Diode
nein
Funktion
P-Kanal-MOS-IGBT-Transistor
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
60A
Kanaltyp
P
Kollektorstrom
20A
Kosten)
450pF
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
180W
RoHS
ja
Spec info
Audioverstärker
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.7V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba