P-Kanal-Transistor IRF4905PBF, TO220AB, -55V, 74A, -55V

P-Kanal-Transistor IRF4905PBF, TO220AB, -55V, 74A, -55V

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P-Kanal-Transistor IRF4905PBF, TO220AB, -55V, 74A, -55V. Gehäuse: TO220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -55V. Maximaler Drainstrom: 74A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 61 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3400pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -74A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Eigenschaften: -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. Einschaltzeit ton [nsec.]: 18 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRF4905. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 74A. Information: -. Kanaltyp: P. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 200W. MSL: -. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Polarität: MOSFET P. RoHS: ja. Serie: HEXFET. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Vdss (Drain-Source-Spannung): -55V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:42

Technische Dokumentation (PDF)
IRF4905PBF
30 Parameter
Gehäuse
TO220AB
Drain-Source-Spannung (Vds)
-55V
Maximaler Drainstrom
74A
Drain-Source-Spannung Uds [V]
-55V
Antriebsspannung
10V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
61 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
3400pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
-74A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.02 Ohms @ -38A
Einschaltwiderstand Rds On
0.02 Ohms
Einschaltzeit ton [nsec.]
18 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
-4V
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Herstellerkennzeichnung
IRF4905
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
74A
Kanaltyp
P
Komponentenfamilie
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
200W
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
200W
Montageart
THT
Pd (Verlustleistung, max)
200W
Polarität
MOSFET P
RoHS
ja
Serie
HEXFET
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Vdss (Drain-Source-Spannung)
-55V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier