P-Kanal-Transistor IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 40A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 120nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2700pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drain-Source-Spannung: -100V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.06 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 29A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 140A. Kanaltyp: P. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 790pF. Leistung: 200W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -40A. Td(off): 79 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00