P-Kanal-Transistor IRF7314, SO, SO-8
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P-Kanal-Transistor IRF7314, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Anzahl der Terminals: 8:1. Aufladung: 19nC. Drain-Source-Spannung: -20V. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Gate-Source-Spannung: 12V, ±12V. Leistung: 2W. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -5.3A. Technologie: HEXFET®. Thermischer Widerstand: 62.5K/W. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27
IRF7314
16 Parameter
Gehäuse
SO
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Anzahl der Terminals
8:1
Aufladung
19nC
Drain-Source-Spannung
-20V
Funktion
P-Kanal-MOSFET-Transistor
Gate-Source-Spannung
12V, ±12V
Leistung
2W
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
-5.3A
Technologie
HEXFET®
Thermischer Widerstand
62.5K/W
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier