P-Kanal-Transistor IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v

P-Kanal-Transistor IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
1.60€
5-24
1.42€
25-49
1.33€
50-94
1.16€
95+
0.98€
Menge auf Lager: 59

P-Kanal-Transistor IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 150uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Drain-Source-Schutz: nein. Einschaltwiderstand Rds On: 0.039 Ohms. Funktion: Laptop-Schaltkreise. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 7.1A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 160A. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Td(off): 65 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.3V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43

Technische Dokumentation (PDF)
IRF9310
26 Parameter
ID (T=25°C)
20A
IDSS (max)
150uA
Gehäuse
SO
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
8:1
Betriebstemperatur
-55...+150°C
Drain-Source-Schutz
nein
Einschaltwiderstand Rds On
0.039 Ohms
Funktion
Laptop-Schaltkreise
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
ID (T=100°C)
7.1A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
160A
Kanaltyp
P
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
2.5W
Td(off)
65 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
2.4V
Vgs(th) min.
1.3V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier