P-Kanal-Transistor IRF9520, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V

P-Kanal-Transistor IRF9520, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.20€
5-24
1.00€
25-49
0.89€
50+
0.78€
Gleichwertigkeit vorhanden
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P-Kanal-Transistor IRF9520, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 390pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 4.8A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 27A. Kanaltyp: P. Kosten): 170pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Td(off): 21 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 98 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43

Technische Dokumentation (PDF)
IRF9520
30 Parameter
ID (T=25°C)
6.8A
IDSS (max)
500uA
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
100V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
390pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Einschaltwiderstand Rds On
0.6 Ohms
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
ID (T=100°C)
4.8A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
27A
Kanaltyp
P
Kosten)
170pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
60W
RoHS
ja
Td(off)
21 ns
Td(on)
9.6 ns
Technologie
HEXFET Power-MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
98 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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