P-Kanal-Transistor IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 350pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. ID (T=100°C): 4.1A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 27A. Kanaltyp: P. Kosten): 110pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43