P-Kanal-Transistor IRF9520PBF, TO-220AB, -100V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 18nC. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 390pF. Drain-Source-Spannung: -100V. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -6.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.6 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRF9520PBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 6A. Information: -. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 60W. MSL: -. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Montage/Installation: THT. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Serie: -. Strömung abfließen: -4.8A. Transistortyp: P-MOSFET. Vdss (Drain-Source-Spannung): -100V. Widerstand auf den Staat: 0.6 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:38