P-Kanal-Transistor IRF9640PBF, TO220AB, -200V, 11A, -200V

P-Kanal-Transistor IRF9640PBF, TO220AB, -200V, 11A, -200V

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P-Kanal-Transistor IRF9640PBF, TO220AB, -200V, 11A, -200V. Gehäuse: TO220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -200V. Maximaler Drainstrom: 11A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1200pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Eigenschaften: -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.5 Ohms. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRF9640PBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 11A. Information: -. Kanaltyp: P. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 125W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Polarität: MOSFET P. RoHS: ja. Serie: -. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Vdss (Drain-Source-Spannung): -200V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22

Technische Dokumentation (PDF)
IRF9640PBF
29 Parameter
Gehäuse
TO220AB
Drain-Source-Spannung (Vds)
-200V
Maximaler Drainstrom
11A
Drain-Source-Spannung Uds [V]
-200V
Antriebsspannung
10V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
39 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
1200pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
-11A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.5 Ohms @ -6.6A
Einschaltwiderstand Rds On
0.5 Ohms
Einschaltzeit ton [nsec.]
14 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
-4V
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Herstellerkennzeichnung
IRF9640PBF
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
11A
Kanaltyp
P
Komponentenfamilie
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
125W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
125W
Montageart
THT
Pd (Verlustleistung, max)
125W
Polarität
MOSFET P
RoHS
ja
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Vdss (Drain-Source-Spannung)
-200V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay (ir)