P-Kanal-Transistor IRF9Z24NPBF, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 350pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.175 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 8.5A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: P. Kosten): 170pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43