P-Kanal-Transistor IRF9Z34NS, D2PAK ( TO-263 ), 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 23.3nC. C(in): 620pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: -55V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 2.2K/W. ID (T=100°C): 14A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 68A. Kanaltyp: P. Kosten): 280pF. Leistung: 68W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 68W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -19A. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 54ms. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Widerstand auf den Staat: 100M Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43