P-Kanal-Transistor IRFD9014, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.1A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 270pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 0.8A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 8.8A. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Kosten): 170pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Td(off): 10 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: FET. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43