P-Kanal-Transistor IRFD9110, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.7A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 200pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 0.49A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 5.6A. Kanaltyp: P. Kosten): 94pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET POWWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 82 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43