P-Kanal-Transistor IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

P-Kanal-Transistor IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

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P-Kanal-Transistor IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1200pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 22A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltyp: P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFR5305. Kosten): 520pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 71ms. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFR5305
31 Parameter
ID (T=25°C)
31A
IDSS (max)
250uA
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spannung Vds(max)
55V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1200pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Einschaltwiderstand Rds On
0.065 Ohms
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
ID (T=100°C)
22A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaltyp
P
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
IRFR5305
Kosten)
520pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
110W
RoHS
ja
Td(off)
39 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET ® Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
71ms
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier