P-Kanal-Transistor IRFR5305PBF, TO252AA, DPAK
Menge
Stückpreis
1-4
1.98€
5-9
1.24€
10-19
1.09€
20-49
1.01€
50+
0.94€
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P-Kanal-Transistor IRFR5305PBF, TO252AA, DPAK. Gehäuse: TO252AA, DPAK. Aufladung: 42nC. Drain-Source-Spannung: -55V. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1.4K/W. Leistung: 89W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -31A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: P-MOSFET, HEXFET. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:15
IRFR5305PBF
13 Parameter
Gehäuse
TO252AA, DPAK
Aufladung
42nC
Drain-Source-Spannung
-55V
Gate-Source-Spannung
20V, ±20V
Gehäuse thermischer Widerstand
1.4K/W
Leistung
89W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
-31A
Technologie
HEXFET®
Transistortyp
P-MOSFET, HEXFET
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier