P-Kanal-Transistor IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 12.7nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 350pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: -55V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.175 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 3.3K/W. ID (T=100°C): 8A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: P. Kosten): 170pF. Leistung: 38W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 38W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -11A. Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45