P-Kanal-Transistor IRFR9024NTRPBF, D-PAK, TO-252, -55V
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P-Kanal-Transistor IRFR9024NTRPBF, D-PAK, TO-252, -55V. Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Herstellerkennzeichnung: FR9024N. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 38W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:56
IRFR9024NTRPBF
17 Parameter
Gehäuse
D-PAK
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-252
Drain-Source-Spannung Uds [V]
-55V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
23 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
350pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
-11A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.175 Ohms @ -6.6A
Einschaltzeit ton [nsec.]
13 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
-4V
Herstellerkennzeichnung
FR9024N
Komponentenfamilie
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
38W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon