P-Kanal-Transistor IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V

P-Kanal-Transistor IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V

Menge
Stückpreis
1-4
1.12€
5-24
0.94€
25-49
0.83€
50-99
0.80€
100+
0.61€
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P-Kanal-Transistor IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V. ID (T=25°C): 3.6A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK ( TO-252AA ). Spannung Vds(max): 200V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 340pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Funktion: dynamisches dv/dt-Verhältnis, schnelle Umschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 2.3A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 14A. Kanaltyp: P. Kosten): 110pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 42W. Td(off): 7.3 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFR9220
27 Parameter
ID (T=25°C)
3.6A
IDSS (max)
500uA
Gehäuse (laut Datenblatt)
D-PAK ( TO-252AA )
Spannung Vds(max)
200V
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
340pF
Drain-Source-Schutz
ja
Einschaltwiderstand Rds On
1.5 Ohms
Funktion
dynamisches dv/dt-Verhältnis, schnelle Umschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
2V
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
ID (T=100°C)
2.3A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
14A
Kanaltyp
P
Kosten)
110pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
42W
Td(off)
7.3 ns
Td(on)
8.8 ns
Technologie
Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
150 ns
Vgs(th) max.
4 v
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier