P-Kanal-Transistor IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V

P-Kanal-Transistor IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V

Menge
Stückpreis
1-4
0.34€
5-49
0.28€
50-99
0.24€
100-199
0.21€
200+
0.17€
Menge auf Lager: 275

P-Kanal-Transistor IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=25°C): 3.7A. IDSS (max): 25uA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 633pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.05 Ohms. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: nein. ID (T=100°C): 2.2A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 22A. Kanaltyp: P. Kosten): 145pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Td(off): 588 ns. Td(on): 350 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.4V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38

Technische Dokumentation (PDF)
IRLML6402
27 Parameter
ID (T=25°C)
3.7A
IDSS (max)
25uA
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 )
Spannung Vds(max)
20V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
633pF
Drain-Source-Schutz
ja
Einschaltwiderstand Rds On
0.05 Ohms
Funktion
Ultra Low On-Resistance
G-S-Schutz
nein
ID (T=100°C)
2.2A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
22A
Kanaltyp
P
Kosten)
145pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1.3W
Td(off)
588 ns
Td(on)
350 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
1.2V
Vgs(th) min.
0.4V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier