P-Kanal-Transistor IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

P-Kanal-Transistor IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
27.23€
5-9
25.94€
10-19
24.40€
20+
23.01€
Menge auf Lager: 22

P-Kanal-Transistor IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 12pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. Funktion: P-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): -. IDss (min): 50uA. Id(imp): 270A. Kanaltyp: P. Kosten): 2210pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 890W. RoHS: ja. Td(off): 89 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: PolarPTM Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 315 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IXTK90P20P
28 Parameter
ID (T=25°C)
90A
IDSS (max)
250uA
Gehäuse
TO-264 ( TOP-3L )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-264
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
12pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Einschaltwiderstand Rds On
0.044 Ohms
Funktion
P-Channel Enhancement Mode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
50uA
Id(imp)
270A
Kanaltyp
P
Kosten)
2210pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
890W
RoHS
ja
Td(off)
89 ns
Td(on)
32 ns
Technologie
PolarPTM Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
315 ns
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS