P-Kanal-Transistor MMBFJ177LT1G, SOT-23, -30V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: -20mA. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Herstellerkennzeichnung: 6Y. Komponentenfamilie: P-Kanal-JFET-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi (fairchild). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:06