P-Kanal-Transistor RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V
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25+
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P-Kanal-Transistor RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 630V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1250pF. CE-Diode: nein. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 200A. Kanaltyp: P. Kollektorstrom: 40A. Kosten): 40pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Panasonic. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40
RJP63F4A
23 Parameter
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
630V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1250pF
CE-Diode
nein
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
2.5V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
5V
Gate/Emitter-Spannung VGE
30 v
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
200A
Kanaltyp
P
Kollektorstrom
40A
Kosten)
40pF
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
30W
RoHS
ja
Spec info
Panasonic--TX-P50VT20EA
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.7V
Td(off)
50 ns
Td(on)
20 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Panasonic