P-Kanal-Transistor SI2307CDS, SOT-23, -30V
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P-Kanal-Transistor SI2307CDS, SOT-23, -30V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 340pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -2.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.138 Ohms @ -2.2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Herstellerkennzeichnung: N7. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (siliconix). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27
SI2307CDS
16 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds [V]
-30V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
40 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
340pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
-2.7A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.138 Ohms @ -2.2A
Einschaltzeit ton [nsec.]
60 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
-3V
Herstellerkennzeichnung
N7
Komponentenfamilie
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
1.8W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay (siliconix)