P-Kanal-Transistor SI4435BDY, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. RoHS: ja. Td(off): 110 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30