P-Kanal-Transistor STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 80A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 5500pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Funktion: -. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. ID (T=100°C): 57A. Id(imp): 320A. Kanaltyp: P. Kosten): 1130pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Td(off): 165 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: STripFETTM II Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Sgs Thomson. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58