Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.84€ | 2.21€ |
5 - 9 | 1.75€ | 2.10€ |
10 - 24 | 1.66€ | 1.99€ |
25 - 49 | 1.56€ | 1.87€ |
50 - 99 | 1.53€ | 1.84€ |
100 - 249 | 1.49€ | 1.79€ |
250 - 779 | 1.42€ | 1.70€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.84€ | 2.21€ |
5 - 9 | 1.75€ | 2.10€ |
10 - 24 | 1.66€ | 1.99€ |
25 - 49 | 1.56€ | 1.87€ |
50 - 99 | 1.53€ | 1.84€ |
100 - 249 | 1.49€ | 1.79€ |
250 - 779 | 1.42€ | 1.70€ |
P2804BDG. C(in): 790pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 15.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Verbesserung der Logikebene. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 40V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 10:25.
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