P6KE10A

P6KE10A

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P6KE10A. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 10V. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Gehäuse (laut Datenblatt): DO15 (3.5x6.5mm). Gehäuse: DO-15. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 8.5V. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 8.5V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600 W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10.5V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:12

Technische Dokumentation (PDF)
P6KE10A
19 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Dielektrische Struktur
unidirektional
Durchbruchspannung
10V
Funktion
Transildiode, Überspannungsschutz
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO15 (3.5x6.5mm)
Gehäuse
DO-15
Halbleitermaterial
Silizium
Haltespannung in Schließrichtung [V]
8.5V
Komponentenfamilie
Unidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
10uA @ 8.5V
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
600 W @ 1ms
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Transientenunterdrückertyp
unidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
10.5V @ 1mA
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor