P6KE150A

P6KE150A

Menge
Stückpreis
1-4
0.28€
5-24
0.23€
25-49
0.21€
50-99
0.19€
100+
0.16€
+6695 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit!
Menge auf Lager: 39

P6KE150A. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: unidirektional. Diodentyp: TVS. Durchbruchspannung: 150V. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Gehäuse: DO-15. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: unidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 128V. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 128V. Leistung: 600W. Max Rückspannung: 128V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pulsstrom max.: 2.9A. RoHS: ja. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 158V @ 1mA. Verpackung: Ammo Pack. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:12

Technische Dokumentation (PDF)
P6KE150A
26 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Dielektrische Struktur
unidirektional
Diodentyp
TVS
Durchbruchspannung
150V
Funktion
Transildiode, Überspannungsschutz
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-15 ( 3.2x7.2mm )
Gehäuse
DO-15
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
unidirektional
Haltespannung in Schließrichtung [V]
128V
Komponentenfamilie
Unidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms)
Konditionierung
Ammo Pack
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 128V
Leistung
600W
Max Rückspannung
128V
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
600W @ 1ms
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pulsstrom max.
2.9A
RoHS
ja
Transientenunterdrückertyp
unidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
158V @ 1mA
Verpackung
Ammo Pack
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor