Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.47€ | 1.76€ |
5 - 9 | 1.40€ | 1.68€ |
10 - 24 | 1.32€ | 1.58€ |
25 - 49 | 1.25€ | 1.50€ |
50 - 99 | 1.22€ | 1.46€ |
100 - 249 | 1.19€ | 1.43€ |
250 - 363 | 1.13€ | 1.36€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.47€ | 1.76€ |
5 - 9 | 1.40€ | 1.68€ |
10 - 24 | 1.32€ | 1.58€ |
25 - 49 | 1.25€ | 1.50€ |
50 - 99 | 1.22€ | 1.46€ |
100 - 249 | 1.19€ | 1.43€ |
250 - 363 | 1.13€ | 1.36€ |
P75N02LD. C(in): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 170A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. IDSS: 25uA. IDSS (max): 75A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 5M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 10:25.
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