PHB45N03LT

PHB45N03LT. C(in): 920pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 52 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Feldeffekt-Leistungstransistor, Steuerung des Logikpegels. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (Verlustleistung, max): 86W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 78 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: TrenchMOS transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-404. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 25V. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 10:25.