Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Q67040-S4624

Q67040-S4624
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Q67040-S4624. C(in): 30pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. Id(imp): 21.9A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 07N65C3. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 12:25.

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C(in): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 645 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P10NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Zenerdiodenschutz. G-S-Schutz: ja
STP10NK80Z
C(in): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 645 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P10NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Zenerdiodenschutz. G-S-Schutz: ja
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