QSE113

QSE113

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QSE113. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 8us. Anzahl der Terminals: 2. Außenbreite [mm]: 4.44mm. Außendurchmesser [mm]: -. Außenlänge [mm]: 5.08mm. Außenstärke [mm]: 2.54mm. Dominante Wellenlänge [nm]: 880nm. Einschaltzeit tr [µsec.]: 8us. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±25°. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5mA. Komponentenfamilie: Phototransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +100°C.. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi (fairchild). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:50

Technische Dokumentation (PDF)
QSE113
15 Parameter
Abschaltverzögerung tf [μsec.]
8us
Anzahl der Terminals
2
Außenbreite [mm]
4.44mm
Außenlänge [mm]
5.08mm
Außenstärke [mm]
2.54mm
Dominante Wellenlänge [nm]
880nm
Einschaltzeit tr [µsec.]
8us
Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]
±25°
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
30 v
Kollektorstrom Ic [A], max.
1.5mA
Komponentenfamilie
Phototransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+100°C.
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi (fairchild)