RFP50N06

RFP50N06. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: RFP50N06. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 37 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2020pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 131W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.022 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 50. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.