Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

RG2Y

RG2Y
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RG2Y. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Hinweis: SAMSUNG. MRT (maximal): 2.5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Gewicht: 0.6g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Spec info: IFMS 50Ap. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 01:25.

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UF5404

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehä...
UF5404
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 400V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 3A
UF5404
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 400V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 3A
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RGP15G

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Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hi...
RGP15G
Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 50App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
RGP15G
Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 50App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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