Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

RGP15M

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RGP15M. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 50App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. VRRM: 1000V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 60A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)
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Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 60A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)
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Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Sehr schnelle Gleichrichtungs- und Schaltdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Sehr schnelle Gleichrichtungs- und Schaltdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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