RH2F

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RH2F. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dämpfer . Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 60A. Hinweis: Samsung--32169-301-670. Hinweis: Samsung--CK6813Z/SEH. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1500V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 05:25.

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